일반기술

반도체 표면의 철 오염 물질을 제거하는 방법

[해결하고자 하는 과제]본 발명은 웨이퍼 표면의 오염 물질, 먼지 등과 같은 불순물로 인한 문제점을 해결하고자 한다.[과제 해결의 수단]본 발명은 반도체 표면 위의 철 오염 물질을 제거하는 건식 세정 기술에 관한 것으로서, 구체적으로는 UV/O3에 반도체 기판을 노출시키는 단계 ;원격 수소 플라즈마에 반도체 기판을 노출시키는 단계 ; 및선택적으로 반도체 기판을 열처리하는 단계로 이루어지는 반도체 표면 위의 철 오염 물질을 제거하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 방법은 철 오염 물질의 효율이 우수하고 사용 장치를 부식시키지 않는 장점을 갖는다.본 발명의 방법에 의해 UV/O3에 이어 원격 수소 플라즈마에 반도체 기판을 단계적으로 노출시키고 선택적으로 반도체 기판을 열처리함으로써 반도체 표면 위의 철 오염 물질을 효과적으로 제거할 수 있으며 반도체 표면의 거칠기를 감소시킬 수 있다. 또한 본 발명에 의한 방법은 어떠한 반도체 공정 반응기에도 적용하여 사용할 수 있으므로, 게이트 산화 전세척 (pre-gate oxidation cleaning), 에피탁시 전세척 (pre-epitaxy cleaning) 또는 금속화 전세척 (pre-metaliization cleaning)을 통해 초대규모 집적 회로의 제작에 응용할 수 있다. 더욱이 본 발명에 의한 세척 방법은 사용 장치를 부식시키지 않는 장점을 갖는다.본 발명은 반도체 기판을 단계적으로 UV/O3 세정에 이어 원격 수소 플라즈마에 노출시킨 다음, 선택적으로 반도체 기판을 열처리함으로써 장비의 부식없이 반도체 표면 위의 철 오염 물질을 효과적으로 제거할 수 있고 반도체 표면의 거칠기가 감소시킬 수 있다.종래 습식 세정의 문제점을 해결하기 위해 건식 세정 기술이 개발되었으며, 일반적으로 사용되는 기술은 UV를 사용하는 광화학적 방법과 플라즈마를 이용하는 방법이다. 특히 금속 오염 물질을 제거하기 위해 UV/Cl2 세정법, 원격 HCl 플라즈마 세정법 등과 같이 최근에 많이 연구되고 있는 방법이다. 그러므로 반도체 제조공정상의 불순물 제거용으로 널리 쓰일 수 있어 그 시장성이 매우 넓다.반도체 기판의 철 불순물을 제거하기 위한 본 발명의 다단계 방법에서 각 단계의 순서는 철 불순물 제거 효율에 영향을 미치는데, UV/O3에 이어 원격 수소 플라즈마 세정을 하는 것이 원격 수소 플라즈마 세정을 한 후 UV/O3 세정하는 것보다 더 우수한 세정 효과를 나타낸다. 그러므로 반도체 제조공정에 널리 쓰일것이다.