일반기술

초정밀 멤스소자 시뮬레이션 방법

본 발명은 초정밀 멤스 소자 시뮬레이션 방법에 관한 것으로서, 특히 몬테카를로 수치 해석 계산과 셀 제거 방식의 표면 전진 계산을 수행함에 있어 병렬 컴퓨팅 알고리즘을 적용하여 수치 계산의 효율성을 높이기 위한 반도체 식각 공정 시뮬레이션 방법을 제공한다.본 발명의 초정밀 멤스 소자 시뮬레이션 방법은 기판 입자를 제거하기 위한 특정 이온이 플라즈마 챔버 내부의 공핍층을 통과하여 기판에 도달하는 입자 거동 메카니즘을 시뮬레이션하는 단계에 있어서, 병렬 컴퓨팅 몬테카를로 수치해석 알고리즘을 적용하는 단계와, 기판에 도달된 식각 입자에 의한 표면의 형상 변화 시뮬레이션 단계에 있어서, 병렬 표면 전진 알고리즘을 적용하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.이와 같이 본원 발명은 이온 거동 시뮬레이션과 기판 표면 전진 시뮬레이션에 병렬 컴퓨팅 알고리즘을 적용함으로써, 단일 프로세서에 의한 방대한 메모리 사용 및 계산 시간의 지연 등 계산상의 문제점을 해결한다.본 발명은 반도체 식각 공정에서 반도체 웨이퍼 표면 토폴로지(topology)의 형상 변화에 대해 컴퓨터를 이용하여 모의 실험하기 위한 수치 해석적 기법에 관한 것으로서, 특히 기판 입자를 제거하기 위한 특정 이온이 플라즈마 챔버 내부의 공핍층을 통과하여 기판에 도달하는 입자 거동 메카니즘을 시뮬레이션하는 단계에 있어서, 병렬 컴퓨팅 몬테카를로 수치해석 알고리즘을 적용하는 단계와, 기판에 도달된 식각 입자에 의한 표면의 형상 변화 시뮬레이션 단계에 있어서, 병렬 표면 전진 알고리즘을 적용하는 단계의 수치 해석 방법에 관한 것이다. 본 발명은 챔버 내부의 플라즈마 가스로부터 기판에 도달하는 입자의 거동을 병렬 몬테카를로 방식의 수치 해석 연산 단계, 상기 계산된 결과를 표면 전진기에 입력하는 단계, 셀 제거 방식을 이용한 기판 형상 변화 수치 해석 연산 단계, 표면 진화 계산의 병렬화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 식각 공정 병렬 연산 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 식각 공정 시뮬레이터 장치의 연산 방법은 종래의 막대한 계산량에 따른 CPU 부담과 메모리 사용의 한계성으로 인한 시뮬레이션 효율성의 저하 문제를 방지할 수 있는 장점을 지닌다. 또한, 플라즈마 영역의 이온 거동 메카니즘과 기판의 형상 변화 메카니즘을 동시에 연산할 수 있도록 함으로써 계산의 정확성을 향상시킬 수 있다는 장점을 지닌다.