일반기술

탄소나노튜브의 표면 개질방법

본 발명은 탄소나노튜브의 표면을 개질하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명은, (S1)원자이동 반응을 통해 유기 라디칼을 형성할 수 있는 유기 화합물을 준비하는 단계; (S2)준비된 유기화합물, 탄소나노튜브, 전이금속 화합물(Mtn+Xn )과 리간드(L)를 포함하는 전이금속 착물을 유기용매에 혼합하는 단계; (S3)원자이동 라디칼 첨가반응(ATRA)에 따라, 첨가된 유기 화합물이 상기 전이금속 착물과 반응하여 유기 라디칼을 형성하고, 형성된 유기 라디칼이 상기 탄소나노튜브의 표면에 공유결합을 형성하여 탄소나노튜브의 표면을 개질시키는 단계; 및 (S4)표면이 개질된 탄소나노튜브를 여과하고 건조하여 수득하는 단계;를 포함하여 진행하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 다양한 유기화합물을 이용하여 그 표면에 공유결합시킴으로써 간편하게 탄소나노튜브의 표면을 개질할 수 있고, 이로써 기존에 문제시 되었던 탄소나노튜브의 고유의 용해성과 낮은 분산성을 향상시킬 수 있으므로, 탄소나노튜브의 응용분야가 더욱 확대될 수 있다.이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면 다양한 유기화합물을 이용하여 그 표면에 공유결합시킴으로써 간편하게 탄소나노튜브의 표면을 개질할 수 있고, 이로써 기존에 문제시 되었던 탄소나노튜브의 고유의 용해성과 낮은 분산성을 향상시킬 수 있으므로, 탄소나노튜브의 응용분야가 더욱 확대될 수 있다. 본 발명은 (S1) 원자이동 반응을 통해 유기 라디칼을 형성할 수 있는 유기 화합물을 준비하는 단계; (S2) 상기 준비된 유기화합물, 탄소나노튜브, 전이금속 화합물(Mtn+Xn)과 리간드(L)를 포함하는 전이금속 착물을 유기용매에 혼합하는 단계; (S3) 원자이동 라디칼 첨가반응(ATRA)에 따라, 상기 첨가된 유기 화합물이 상기 전이금속 착물과 반응하여 유기 라디칼을 형성하고, 형성된 유기 라디칼이 상기 탄소나노튜브의 표면에 공유결합을 형성하여 탄소나노튜브의 표면을 개질시키는 단계; 및 (S4) 상기 표면이 개질된 탄소나노튜브를 여과하고 건조하여 수득하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 표면 개질방법으로 되어 있다.