일반기술

엑스레이 이미지 디텍터

본 발명은 디지털 엑스레이 이미지 디텍터에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 기존의 광도전체 물질인 a-Se을 Pb1-xSnxO의 형태의 p-i-n heterojunction 구조로 구성시켜 (x의 값은 0에서 1로 바뀐다) PbO와 SnO가 순차적으로 증착되어 heterojunction 구조를 가진 엑스레이 이미지 디텍터를 제공하며 이로 인해, 넓은 스펙트럼에서 높은 비율의 광자들을 이용할 수 있고, 비교적 넓은 electric field가 발생되어 n side 쪽으로 전자들이 끌리는 힘, 그리고 p side로 정공들이 끌리는 힘이 큰 엑스레이 리셉터가 제공되는 이점이 있다.본 발명은 junction loss와 낮은 전하수집 효율의 문제를 극복하기 위하여 PbO와 SnO의 다양한 비율을 사용하여 제조한 photoconductive 물질을 엑스레이 리셉터로 사용한 디지털 엑스레이 이미지 디텍터를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 가시광 영역의 파장대에서 그 흡수효율이 높으며 흡수한 빛에 의해 광전류를 흐르게 하는photoconductive layer의 특성에 따라, 입사되는 방사선에 의해 가시광을 발생시키는 형광층을 접합시켜 상기 엑스레이 리셉터의 방사선 검출 특성을 향상시킨 엑스레이 이미지 디텍터를 제공하는 것을 목적으로 한다.