일반기술

다층감광막을 이용한 패턴의 선택적 형성 방법

본 기술은 원자이미지를 이용한 패턴형성방법인 원자이미지 투사 전자빔 리소그라피(AIPEL: atomic image projection electron beam lithography) 기술에 관한 것이며, 특히 AIPEL공정에서 다층감광막을 사용하여 미세패턴을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 순차적으로 전자빔용 감광막(electron beam resist)과 포토레지스트(photoresist)를 도포하여 다층 감광막을 형성한 후, 미세 패턴(AIPEL 패턴)이 필요한 지점의 영역과 영역의 형태 등을 포토리소그래피 공정을 통하여 선택적으로 결정하며, 이렇게 선택된 영역에서만 드러나는 전자빔용 감광막의 표면에 투사방식의 원자이미지를 이용한 전자빔 리소그래피 공정을 진행하고 현상을 하게 되면, 원하는 위치에 원하는 형태의 최종의 미세 패턴(AIPEL 패턴)을 얻을 수 있다.본 기술은 원자이미지 투사 전자빔 리소그라피 방법과 포토리소그라피 감광막과 전자빔 리소그라피 감광막의 다중감광막을 사용하여 패터닝하는 방법을 결합한 것으로 종래의 방법과 다른 독창적인 방법이다.수십 나노미터 크기이하의 특정 패턴을 특정 영역에 위치시키고 정의할 수 있으며, 투사 전자빔 리소그래피 방법이므로 생산성이 종래의 방법에 비하여 우수하다. 이러한 공정을 사용하여 수십 나노미터 크기이하의 양자점 및 양자선을 가지는 전자소자, 광소자 또는 자성소자와 같은 기능성 소자의 제작이 가능하다고 판단된다.