일반기술

비정상 입성장을 이용한 저전압 바리스터 및 그 제조방법

본 기술에서는 충분히 큰 입자로 이루어진 미세조직을 얻기 위해 우선 ZnO를 주성분으로 하는 성형체를 고온에서 소결하여 비정상 입성장을 유도한 후, 바리스터 특성의 발현을 위해 필요한 첨가물들을 기상으로 투입하는 방법을 이용하였다. 본 기술에서 제시한 방법으로 제조된 ZnO계 바리스터는 3.6V에서 급격한 항복이 일어나는 우수한 전류-전압 특성을 보일 뿐만 아니라 균일하고 치밀한 미세조직을 가지고 있어서 이 기술을 이용하면 저전압에서 동작하는 우수한 특성의 바리스터를 쉽게 생산할 수 있다.본 기술은 원하는 물성을 획득하기 위해 재료 외적인 요소인 두께 등을 재단하는 종래의 방식과 달리 재료의 미세조직 자체를 직접 제어한다는 점에서 독창적이다.종래의 방식은 저전압을 구현하는 과정에서 필연적으로 동작 신뢰도 및 에너지 흡수능력 등의 주요 특성이 저하되는 문제점이 야기되었던 반면, 본 기술은 제반특성의 저하없이 다양한 값의 항복전압을 획득할 수 있다.궁극적으로 우수한 물성을 갖춘 저전압 바리스터의 제작은 물론 입계의 수에 비례하는 특성을 활용하는 모든 세라믹스 전자부품에 응용이 가능하다.