일반기술

외부자장이가해지는평면형고주파유도결합플라즈마처리장치

본 발명은 유도기전력이 처리용 챔버내로 깊숙이 침투하지 못함에 따라 균일한 대면적의 플라즈마를 고 밀도로 발생시킬 수 없는 플라즈마 처리장치의 결점을 해소하기 위한 것으로서, 나선형으로 수회 감겨진 평면형 안테나(11), 안테나(11)에 전력을 인가하는 전력공급원(12), 낮은 압력의 처리(식각 또는 증착) 용 챔버(13), 안테나(11)와 처리용 챔버(13)를 격리시키되 안테나(11)의 유도기전력은 통과시키는 석영 창(14), 식각 또는 증착을 위한 전극(15), 안테나(11)의 임피던스 정합회로(16), 전극(15)에 바이어스를 인가하기 위한 라디오 주파수 전력공급원(17), 그 안테나(11)에 대한 라디오 주파수 차폐막(18), 그리고 안테나(11)의 평면과 수직을 이루는 외부자장 발생용의 2쌍의 전자석(19)을 포함하는 본 발명의 외부자 장이 가해지는 평면형 고주파 유도결합 플라즈마 처리장치를 제공한다.본 발명은 외부자장이 가해지는 평면형 고주파 유도결합 플라즈마 처리장치. 보다 상세하게는 외부자장 에 의해 플라즈마를 자화시켜 균일한 대면적의 고밀도 플라즈마를 발생시킬 수 있는 평면형 고주파 유도 결합 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. 본 발명은 종래의 플라즈마 처리장치의 위와 같은 문제점을 해결하기 위하여 유도기전력을 처리챔버내에 깊게 침투시켜서 고밀도 플라즈마를 발생시키기 위해 플라즈마를 자화시키는 장치를 만들어내기 위한 것 이다. 발명자들의 연구결과, 수회의 나선형으로 감겨진 평면형 안테나를 사용하고, 적어도 2쌍의 전자석 에 의해 안테나와 수직방향의 자장을 처리챔버에 가해 플라즈마를 효과적으로 자화시킬 수 있었다. 본 발명의 플라즈마 처리장치의 구조상 자기장의 방향과 평행하게 놓여지는 처리용 챔버의 벽이 플라즈 마내 전지가파의 성질 및 모양을 결정하지 않으며, 특정항 파장 및 모드를 가지는 전자기파를 강제적으 로 여기시키지 않는다는 점에서 여러가지 형태의 다른 헬리콘 플라즈마와 구별된다.