일반기술
블록 전도성 고분자를 이용한 나노 크기에서 마이크로크기 패턴닝
본 발명은 나노 크기에서 마이크로 크기 패턴닝을 단순히 전도성 블록고분자 용액을 미세 접촉 인쇄법으로 자기 조립 단분자막(SAM)이 패턴닝된 기판위에 캐스팅함으로써 전도성 블록 고분자의 친수성 블록이 기판상의 SAM으로부터 반발되어 SAM이 패턴닝 되지 않은 기판 영역에만 유인되어 전도성 고분자를 간단하게 패턴닝 하는 기술로서 미세 및 극미세 전자 소자 제조에 효과적으로 응용 될수 있다. 또한, POLYETHYLENE OXID(분자량 2000)와 2-THIOPHENE CARBONYL CHLORIDE을 이용하여 제조하는 THIOPHENE 모노머를 사용한다.POLYETHYLENE OXID(분자량 2000)와 2-THIOPHENE CARBONYL CHLORIDE을 이용하여 제조하는 THIOPHENE 모노머를 사용함. 나노 크기에서 마이크로 크기 패턴닝을 단순히 전도성 블록고분자 용액을 미세 접촉 인쇄법으로 자기 조립 단분자막(SAM)이 패턴닝된 기판위에 캐스팅함으로써 전도성 블록 고분자의 친수성 블록이 기판상의 SAM으로부터 반발되어 SAM이 패턴닝 되지 않은 기판 영역에만 유인되어 전도성 고분자를 간단하게 패턴닝 하는 기술로서 미세 및 극미세 전자 소자 제조에 효과적으로 응용.
기술정보
- 기술분류
- 화학 > 고분자 구조
- 보유기관
- 순천대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2006-05-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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