일반기술

양자점 형성 방법

본 기술의 목적은 단결정급 결정특성을 갖는 실리콘 양자점을 형성함으로써 단전자 메모리소자에 적합한 나노미터 크기의 양자점 구조를 제작하기 위함이다.본 기술은 실리콘 양자점 형성방법에 관한 것으로, 특히 화학기상증착법을 이용하여 박막절연층이 형성된 기판 상부에 SiH4 실리콘원 가스 및 B2H6 도펀트 가스를 동시에 주입함으로써 단결정급 결정특성을 갖는 미세하고 균일한 실리콘 양자점을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 차세대 나노소자 제조에 적용될 수 있다.양자점이 단결정 수준의 실리콘 결정 특성을 가지며, 10 nm의 균일하고 미세한 실리콘 결정립을 형성할 수 있다. 우수한 결정특성 및 균일한 밀도의 Si 양자점은 탁월한 특성을 갖는 나노 소자를 제작할 수 있다. 단결정급 결정성과 고밀고, 높은 균일도의 양자점은 단전자 메모리 소자의 제조에 있어서 필수적인 사항이다. 이는 종래의 양자점 형성 방법에 비해서 획기적인 성능 향상을 가져올 것으로 기대된다. 현재 반도체 산업에서 크게 각광받고 있는 단전자 메모리 소자의 기반 물질을 얻기 위해 필수적인 양자점 형성 방법으로서 시장 경제적 파급 효과가 클 것이라 예상된다.