일반기술

높은전자이동도를갖는INSB박막의제조방법

본 기술은 융점이 다른 두 금속을 박막층으로 형성하기 위한 금속박막 제조방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자 제조 시 금속막증착에 있어서 이중보호막의 사용과 대용융 재결정법을 이용하여 높은 전자이동도를 가지는 InSb박막을 형성하기 위한 제조방법을 개시한 것이다. 본 기술에 의한 높은 전자이동도를 가지는 InSb박막의 제조방법은 실리콘 기판 위에 열산화막을 형성하고 In과 Sb을 순차적으로 열증착시킨 후 ,SiO2층과 In2O3층을 제1 및 제2보호막으로 형성하여 대용융 재결정법을 이용하여 열처리 함으로써 반도체 소자의 높은 전자이동도를 가지는 InSb박막을 형성할 수 있게 된다.금속막 증착에 있어서 이중보호막의 사용과 대용융 재결정법을 이용하여 높은 전자이동도를 가지는 InSb박막 제조방법은 다른 어떤 방법도다 아이디어가 뛰어나다고 할 수 있다.반도체 및 센서 적용기술만 개발된다면, 실제 제품적용 가능하다고 예상된다세계시장규모는 '95년 현재 약 17억불로 매년 7%정도의 성장세를 보이고 있으며, 이중 반도체압력센서가 19%, 부르동관식 압력센서가 15% 정도를 각각 차지하고 있다. 향후에는 반도체압력센서의 지속적인 성장세가 계속되어 '98년에는 전체시장의 23% 정도의 점유율을 보일 것으로 전망된다. 최근에 와서는 마이크로머시닝기술의 진보로 센서의 가격대비 성능이 크게 향상되었으며 대량생산이 가능하게 되었다. 또한 자동차분야에는 배기가스나 서스펜션시스템 및 브레이크시스템에서 반도체압력센서가 본격적으로 채용됨에 따라 이 부분의 수요가 크게 증가하고 있다. 의료기기분야에 있어서도 약물투여시스템, 인공심장, 혈압모니터링시스템의 발달로 인하여 마이크로머시닝기술을 이용한 반도체압력센서는 다양한 응용범위를 가질 것으로 기대된다. 이러한 압력센서의 핵심 소재인 InSb박막이 높은 전자이동도 가지고 제조방법 또한 간편하다면, 충분히 세계경쟁력을 갖출 것으로 예상된다.