일반기술

모스 전계 효과 트랜지스터 및 광 다이오드가 일체화된 광전자 반도체 소자 및 그 제조 방법

본 기술이 이루고자 하는 기술적 과제는, 입사되는 광에 의해 발생되는 광 전압으로 인하여 모스 트랜지스터의 게이트 전압을 조절함으로써 광 이득을 증대시킬 수 있는 모스 전계 효과 트랜지스터 및 광 다이오드가 일체화된 광전자 반도체 소자를 제공하는 것과 상기 광전자 반도체 소자를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.광의 세기와 전류의 세기가 선형적으로 비례하던 문제점을 트랜지스터의 전압을 조절함으로서 광 이득을 지수적으로 증폭하여 별도의 증폭기가 필요 없는 소자를 구현하였다.전계 효과 트랜지스터와 광 다이오드를 일체화시킴으로써, 광에 의해 발생된 전류량이 입사되는 광의 세기에 지수적으로 비례하며, 이에 따라 검출에 충분한 전류량 발생을 위한 별도의 증폭기가 불필요하다.통상의 전계 효과 트랜지스터 제조 방법을 사용하므로, 기존의 웨이퍼 본딩 방법을 사용하는 경우와 비교하여 신뢰성을 향상시키고 제조비용을 절감할 수 있다. 초소형이며 적은 광량으로 충분한 전류를 발생시키므로 인공망막의 시신경 자극에 이용할 수 있다.