일반기술

저저항성 반도체 수광소자의 제조 방법

본 기술은 광통신에 적용되는 고속의 반도체 수광소자를 저저항화하여 소자의 수신성능 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 제조 방법을 제공데 목적이 있다.본 기술은 수광소자의 재료로 사용되는 저저항성 반도체 이종접합 구조의 제조 방법에 관한 것으로, 현재의 이종접합 구조는 소자의 애이브럽트 (abrupt) 접합에서 발생하는 반송자의 트랩 (trap) 현상에 의해 높은 콘택 (contact) 저항을 갖는 단점을 가지고 있고, 이를 해결하기 위해 원자간 상호섞임 (intermixing) 현상을 이용하여 반송자의 트랩 현상을 감소 시켜 반도체 수광소자의 저항을 낮추는 제조방법을 제공한다.기존에는 수광소자의 제조공정에서 이종접합 구조의 높은 저항을 해결하기 위해 고농도의 불순물 도핑 방법, 그래이디드 헤테로 장벽 형성 방법과 같이 복잡한 제조 방법을 사용하였지만, 본 기술은 고온처리를 통해 이종접합 구조의 상호섞임 현상을 이용하여 저항을 간단히 낮출 수 있는방법을 제시한 것은 매우 뛰어난 아이디어다.기존의 기술에 비해 간단한 방법을 제시하였고, 기존의 기술에 비해 콘택 저항이 1/10 정도 작으므로 10배 우수한 특성을 나타내었다.무한한 잠재력을 가지고 있고 고속으로 성장하고 있는 광통신 시장에 고성능의 수광소자의 제조 방법으로 경쟁력을 가지고 있다.기존 반도체 수광소자의 제조 방법에 비해 간단하고 우수한 특성을 보여주므로 소자의 제조원가의 절감 효과 및 성능의 개선을 기대할 수 있다.