일반기술

광대역 파장 센서 및 그 제조방법

본 기술은 광대역 파장 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 현재 광통신 시스템 등에 사용되는 파장센서의 경우, 크기가 매우 크고 단가가 높은 문제점을 해결하기 위하여, 인듐 갈륨 비소/인듐 갈륨 비소 인(InGaAs/InGaAsP) 다중 양자 우물계에 국부적으로 상호 섞임 현상을 일으켜 밴드갭을 변화시키고, 상호 섞임이 없는 영역 및 상호 섞임 영역에 제1 및 제2 수광소자를 형성하므로써, 파장 센서의 제작비용을 저감시키고 크기를 소형화할 수 있는 광대역 파장 센서 및 그 제조방법이 제시된다.광통신에서 파장별 특성을 측정하기 위해 사용되는 종래의 분광기 대신 다중 양자우물의 상호 섞임을 이용하여 광대역 파장 센서를 제조하는 것이다.저비용화 및 소형화가 가능한 광대역 파장 센서이다.본 기술은 저비용, 소형의 파장 센서에 적용될 수 있으며, 또한 WDM을 이용한 광통신 시스템과 파장 센서 등에도 응용이 가능하다.현재 통신산업의 일부로 광통신이 차지하는 시장 규모가 점점 커지고 있으며 이에 따라 종래의 고비용, 대형의 파장 센서를 저비용, 소형으로 제작함으로서 선진국의 유사한 품목의 수입대체 효과를 가져올 것으로 예상된다.