일반기술
양자 우물 또는 초격자 구조를 가지는 산화아연계 나노선
본 기술은 산화아연계 나노선에 관한 것으로서, 더 상세하게는 산화아연과 유사한 격자상수를 가지는 물질을 교대로 쌓아 만들어진 양자우물 또는 초격자 구조물을 지니는 산화아연계 나노선에 관한 것이다.한편, 본 기술은 질화물 반도체, 실리콘 카바이드, 산화아연마그네슘(Zn1-xMgxO(0≤x≤1))과 산화아연카드늄(Zn1-xCdxO(0≤x≤1)), 산화아연망간(Zn1-xMnxO(0≤x≤1)) 등의 물질로 되는 초격자 구조물을 지니는 산화아연계 나노선에 관한 것이다.본 발명은 수 옹스트롱(Å)에서 수 백 나노 혹은 그 이상의 얇은 두께를 가지는 산화아연과 산화아연마그네슘(Zn1-xMgxO(0≤x≤1))과 산화아연카드늄(Zn1-xCdxO(0≤x≤1)), 산화아연망간(Zn1-xMnxO(0≤x≤1)) 등의 물질들을 교대로 쌓은 양자우물 또는 초격자 구조의 산화아연계 나노선을 제공하는 이점을 제공한다.구체적으로 본 기술은 어떠한 나노선의 경우에도 만들어진 적이 없는 초격자 구조를 가지는 나노선을 제공한다. 본 출원인이 이러한 나노선을 만드는 방법은 향후 지속적으로 추진될 탑다운(top down) 방식으로 복잡한 구조를 단일 나노선 안에 제작할 수 있는 방법으로 기존의 바톰업(boottom up) 방식을 이용한 나노소자 개발의 한계를 극복하고, 새로운 방식으로 나노선을 제작하는 방식을 이용해, 나노선에 새로운 구조를 부여함으로써 단일 나노선에 기능성을 부여할 수 있는 가능성을 가진다. 특히 산화아연반도체는 그 고유한 전기적 광학적 특성이 우수한 산화물 반도체로서, 본 기술에서 제시한 초격자 산화아연계 나노선의 경우는 고기능의 나노 전자소자, 광소자 또는 환경관련 소자에 응용할 수 있어 매우 중요하다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2006-05-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.