일반기술

아날로그 버퍼회로

본 기술에서는 AMLCD 및 AMOLED 디스플레이에서 P 채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터만으로 구성되는 아날로그 버퍼 (analog buffer)를 제안함. 제안된 아날로그 버퍼 회로는 기존의 TFT소자의 다이오드연결에 의한 문턱전압 저장 방식을 사용하지 않고 별도의 커패시터를 사용하지 않기 때문에 고속의 구동 속도로 구동할 수 있다.기존의 아날로그 버퍼회로의 단점인 누설전류 (subthreshold region)로 인한 출력전압오차를 효과적으로 억제하기 위하여 bootstrapping을 이용한 문턱전압 저장방식을 사용함. 이를 위해 인접한 두 TFT 소자의 특성이 일치한다는 가정이 필요함. 또한, 공정상에서 앞서 제기된 가정이 검증된다면 본 기술된 버퍼 회로의 출력 특성이 개선되어 광범위한 디스플레이 분야에 접목되어 응용될 수 있다.기존의 PMOS 아날로그 버퍼 회로는 출력 오프셋 전압을 보상하기 위해 오프셋 전압을 저장 후 상쇄시키는 별도의 구동 순서가 필요한 반면, 기술된 버퍼회로는 별도의 오프셋 전압 저장 없이 구동시키는 방법이다.PMOS 설계 방식 채택을 통한 공정 원가 절감할 수 있다.인접한 두 TFT의 특성이 동일하게끔 공정개발이 된다면 본 기술된 버퍼 회로의 출력 특성이 개선되어 광범위한 디스플레이 분야에 접목되어 응용될 수 있다.최근 CMOS 설계를 이용한 집적 기술이 꾸준히 연구되고 있으나, 수율 개선이 커다란 극복과제인 반면 기술된 PMOS 설계 기술은 수율이 우수하여 PMOS 설계 기술에 대한 새로운 기술개발 요구가 높다.