일반기술

수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터

본 기술은 전극이 칩 전면에 위치하는 수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것이다. 본 기술의 수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터는 소스 영역 내에 트렌치를 형성하여 소스 영역이 부분적으로 중단되도록 함으로써 소스 영역을 감싸고 있는 베이스 영역의 저항을 부분적으로 낮추어 주어 기생 사이리스트의 래치-업을 낮추도록 한다. 또한, 게이트 전극을 트렌치 내에 연장되도록 형성함으로써 유효 채널 폭을 증가시켜 순방향 전압 강하의 증가 없이 기생 사이리스터 래치-업을 억제 할 수 있도록 한다.SOI 수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터 (LIGBT)는 절연 분리 및 저전압 CMOS 소자와 쉬운 집적 등으로 인하여 전력 집적 회로 (PIC)에 널리 이용되고 있다. 또한 SOI LIGBT는 낮은 온-저항, 높은 입력 임피던스, 기판으로부터 절연 분리, 고속 스위칭 속도 및 높은 패킹 밀도 등의 장점을 가진다. 그러나 SOI LIGBT는 기생 사이리스터의 래치-업으로 인하여 그 용도가 제한되고 있다.기존 수직형 IGBT를 수평형으로 제작하여 전력용 IC에 적용이 가능하며, 수평형 IGBT 구조에서 독창적인 트렌치 설계하여 기생 사이리스트 래치-업 억제하여 성능 개선되었다.기존 수평형 MOSFET에 비하여 낮은 온-저항과 높은 항복 전압 특성 구현이 가능 및 기존 LIGBT의 문제점인 기생 사이리스트 래치-업을 개선하여 전력 집적 회로 (PIC)에 적하다. 전력용 고성능 스위치 소자에 활용 가능성이 높다.