일반기술

절연막의 저온 증착법

본 기술은 화학 증착에 의한 절연막 증착 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라스틱과 같이 내열성이 낮은 기판 상에 고품위의 절연막을 증착할 수 있도록 하는 저온 증착 방법에 관한 것이다. 일반적으로 플라스틱 기판은 가볍고 저렴하다는 장점이 있지만, 플라스틱의 특성상 140℃ 이상의 온도에서 증착 공정을 수행하는 것은 불가능한 것으로 알려져 있어 플라스틱 기판의 실용화에는 한계가 있으며 이를 극복하기 위하여 증착온도를 100℃ 내외로 낮출 수 있는 공정이 필요한 실정이다. 현재까지 개발된 저온 증착 공정은 반응기체를 극도로 희석시켜서 박막의 특성을 개선시키는 방법이 있는데, 저온 증착으로 인하여 박막 내에 불순물 함량이 높고 치밀한 절연막이 형성되지 않아 고온에서 증착한 것과 동일한 수준의 우수한 품질을 얻는데는 한계가 있다. 본 기술은 100℃ 이하의 저온 증착 공정으로 불순물 함량이 낮고 치밀한 구조를 갖는 고품위의 절연막을 형성할 수 있도록 하여 플라스틱 기판의 실용화가 가능하도록 한 것이다.본 기술에 의한 방법은 a) 플라즈마에 의해 절연물질 전구체를 포함하는 반응기체를 기판 상에 증착하여 절연막을 형성하는 단계; 및 b) 반응기체 공급을 중단하고 플라즈마 처리만을 단독으로 실시하는 단계;를 포함하며, 절연막이 소정 두께에 도달할 때까지 상기 a) 및 b) 단계를 반복하는 것을 특징으로 한다.절연막의 저온 증착 후 주기적인 산소 플라즈마 처리를 반복하는 본 기술의 방법은 불순물 함량이 대폭 감소되고 전기적 특성 또한 우수하여 게이트용 절연막으로서도 손색없는 산화막을 저온에서 형성가능하여, 플라스틱과 같이 내열성이 약한 기판에 고품위의 절연막을 형성할 수 있도록 한다.