일반기술

Ｐ형 전도성 산화막의 투명전극을 갖는 소자 및 그제조방법

본 발명은 오믹 전기 접촉을 하는 투명전극을 갖는 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 기판, 버퍼층, n-GaN 접촉층, n-클래드층, 활성층, p-클래드층 및 p-GaN 접촉층으로 구성되며, n-GaN 접촉층의 상부에 오믹 접촉되는 n형 전극과, p-GaN 접촉층의 상부에 오믹 접촉되는 투명전극과, 투명전극의 상부에 오믹 접촉되는 Ti 층과 상기 Ti층의 상부에 증차된 본딩 패드를 구비한다. 투명전극은 (Sr,A)TiO3(A=La,Nb), (La,Sr)CoO3,(Sr,A)RuO3(A=Ca,Mg) 및 LaNiO3으로 구성된 퍼로프스카이트 물질의 그룹에서 선택된 전도성 산화막, 또는 RuO2, IrO2,Co3O4 및 Fe3O 4로 구성된 그룹에서 선택된 전도성 물질과 TiO2, ZrO2, Bi2O3, SnO2 및 Al2O 3로 구성된 그룹에서 선택된 안정화 물질의 복합재료인 것을 특징으로 한다. 이에 따라, p-GaN 접촉층과 오믹 접촉을 하며 인가된 전류가 전면으로 잘 퍼져(current spreading) 균일한 분포를 갖고 전기 전도도가 뛰어나 전력소모가 적고, 청색광과 자외선 영역에서 70%이상의 뛰어난 투과율을 갖는 명전극을 갖는 LED 및 디스플레이 소자를 얻을 수 있다.본 발명은 오믹 전기 접촉을 하는 투명전극을 갖는 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상하부층과 오믹전기접촉을 하고 빛에 대한 투과성이 높은 P형 전도성 산화물을 LED 및 디스플레이 소자의 투명전극으로 사용하는 기술에 관한 것으로 p-형 GaN와 오믹 접촉을 하며, 인가된 전류가 전면으로 잘 퍼져 (current spreading) 균일한 분포를 갖도록 하고 전기 전도도가 뛰어난 p-형 전극 물질을 갖는 LED 소자를 제공하기 위한 것이다.또한 본 발명의 다른 목적은 전기 전도도가 좋고 청색광과 자외선 영역에서 70% 이상의 뛰어난 투과율을 갖는 p-형 전극 물질로 구성된 LED 및 디스플레이 소자용 투명전극을 제공하기 위한 것이다.