일반기술

다른 커플링 비율을 가진 최대충전용량을 이용한 고속 쓰기 다중 준위 플래시 메모리 소자 설계

* 발명의 요약종래의 다중준위 플래시 메모리 소자는 쓰기동작에서 작은 문턱전압 분포를 가지기 위하여 단일 준위 플래시 메모리 소자의 쓰기동작보다 작은 계단전압을 사용한다. 그리하여 종래의 다중 준위 플래시 메모리 셀에서는 문턱전압 분포를 작게 하면서 동시에 쓰기 시간을 빠르게 할 수 없다. 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 플로팅 게이트를 충전용량이 다른 여러 부분으로 나누고 플로팅 게이트의 최대 충전용량을 각 준위의 문턱전압만큼 변화시킬 수 있는 양으로 제한하게 설계하였다. 쓰기전압이 플로팅 게이트의 각 부분에 다르게 적용되게 하고 높은 계단 전압에서 쓰기 동작이 가능하게 하여, 빠른 쓰기 시간과 문턱 전압 분포가 작은 다중준위 플래시 메모리 소자 제작을 할 수 있는 설계방법을 제시.* 기술의 진보성플래시 메모리에 있는 플로팅게이트 층의 최대충전용량을 조절하고 플로팅 게이트를 충전용량이 다른 여러 부분으로 나누어 제작하기 때문에 쓰기전압이 각각 다르게 적용되게 하여 쓰기 속도가 빠르고 문턱전압분포가 작은 다중준위 플래시 메모리 소자 제작을 할 수 있는 설계방법을 제시한다.* 기술의 특징 - 본 기술은 다중 준위 플래시 셀에서 중요한 문턱 전압분포를 작게 하는 동시에 높은 계단전압을 사용하여 쓰기 속도를 올릴 수 있는 새로운 플래시 메모리 소자 설계 방법을 제시한다. * 적용응용분야 및 시장성 - 차세대 다중 준위 플래시 메모리 셀의 설계에 적용가능하다. - 충전용량 제한 방법은 단일 준위 플래시 메모리 셀의 설계에도 응용가능하다. - 국내외 시장성은 수천만 불이 예상된다.