일반기술

Poly-Si TFT의 문턱전압 변화를 보상한 비교기

Poly-Si TFT를 이용한 아날로그 회로의 경우 불균일한 grain boundary로 인한 큰 문턱전압의 변화는 회로의 오동작 및 출력의 왜곡을 발생시키게 되며, 비교기의 경우에는 큰 offset전압으로 인하여 잘 동작하지 않을 수가 있다. 도면 3에 문턱전압을 보상한 비교기 회로를 나타내었다. NTFT와 PTFT의 문턱전압은 0.68V와 -2.8V이며 TFT 각각에 ±0.3V의 문턱전압 변화를 주었을 때, 문턱전압 변화를 보상한 경우와 하지 않은 경우에 대한 시뮬레이션 결과를 도면 4에 나타내었다. 기존의 비교기 offset 전압은 825mV이며 문턱전압 변화를 보상한 비교기의 경우에는 97mV의 offset 전압을 가진다.비교기 내의 트랜지스터의 문턱전압 변화에 따른 오프셋을 보상한 비교기 및 그 보상 회로에 관한 것이다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 비교기는 제 1 입력단에 입력되는 제 1전압신호와 제 2 입력단에 입력되는 제 2전압신호를 비교하여 그에 상응하는 하나의 전압 신호를 출력하는 비교기에 있어서, 전류신호를 증폭하고 증폭된 전류 신호를 미러링하는 복수개의 트랜지스터와, 트랜지스터 중 적어도 하나에 결합된 문턱전압 보상수단을 포함하여 제 1입력단과 제 2입력단으로부터 입력된 각 전압신호에 상응하는 두 개의 전류신호를 미러링하는 사전 신호 증폭부; 사전 신호 증폭부로부터 출력된 전류신호에 의해 미러링되는 트랜지스터, 수신된 두 개의 전류신호를 증폭 및 비교하기 위한 트랜지스터 및 트랜지스터 중 적어도 하나에 결합된 문턱전압 보상수단을 포함하여 비교된 두 개의 전류신호에 상응하여 두 개의 전압신호를 출력하는 신호 비교부; 신호 비교부로부터 입력된 두 개의 전압 신호에 상응하는 하나의 전압 신호를 출력하는 논리 회로부를 포함한다.