일반기술

고분자 박막 내에 형성된 나노결정체를 이용한 플로팅 게이트를 갖는 플래쉬 기억소자 및 그 제조방법

* 원리 및 구성본 기술은 고분자 박막 내에 자발형성된 금속 또는 금속산화물 나노결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 갖는 고효율 저비용의 플래쉬 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 종래의 플래쉬 메모리 소자의 나노 결정체의 형성과정보다 매우 간단하게 나노 결정체를 형성할 수 있으며 전체적으로 균일한 분포를 가지는 결정체들이 고분자층으로 둘러쌓여있어 결정체의 응집현상 없이 나노 결정체의 크기나 밀도를 제어할 수 있으며 종래의 나노 플로팅 게이트보다 전기적으로나 화학적으로 안정성을 갖는 나노 플로팅 게이트를 이용함으로써 고효율 저비용의 나노 플로팅 게이트의 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하는 효과가 있다.* 기술의 특징본 기술은 나노 기억 소자에서 중요한 나노 결정체의 크기 및 모양을 제어 할 수 있으며, 물질 특성상 전기적으로나 화학적인 안정성을 가진 나노 플로팅 게이트를 가진 플래쉬 기억소자의 제작할 수 있다.* 적용응용분야 및 시장성고분자 내에 여러가지 나노 결정체를 형성하여 고가의 장비 없이도 간단한 공정과정과 고효율 특성을 갖는 나노 플로팅 게이트의 형성이 가능하며, 이를 이용한 한 고효율 및 저비용 나노 플로팅 게이트를 가진 플래쉬 기억소자 제작가능하다. 국내외 시장성은 수천억불에 달할 것으로 추산된다.