일반기술

탄소나노튜브 정제방법 및 이를 이용한 탄소 나노튜브 제조방법

본 발명은 탄소나노튜브의 정제방법과 이를 이용한 제조방법에 관한 것으로서, 플라즈마 화학기상증착공정을 이용한 탄소나노튜브 제조방법에 있어서, 탄소나노튜브 성장을 위한 기판을 마련하는 단계와, 플라즈마 화학기상증착공정을 이용하여 상기 기판 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계와, 불활성 가스의 플라즈마를 이용하여 상기 탄소나노튜브를 정제하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 탄소나노튜브의 고유의 물성을 변형시키지 않고, 탄소나노튜브의 오염물질을 간단하면서도 효과적으로 신속하게 제거함으로써 탄소나노튜브의 특성을 향상시킬 수 있다. 나아가, 가스센서로의 활용성을 높힐 수 있다.본 발명에 따르면, 탄소나노튜브의 고유의 물성을 변형시키지 않고, 탄소나노튜브의 오염물질을 간단하며, 효과적이고 경제적으로 제거함으로써 탄소나노튜브의 특성을 향상시킬 수 있다. 따라서 본 발명을 통해 얻어진 탄소나노튜브는 차세대 디스플레이 소자인 전계방출소자(FED)에 적극적으로 활용될 수 있으며, 광원으로서 응용가치를 향상시킬 것으로 기대되며, 특히 가스센서로 사용되는 탄소나노튜브을 위한 재생방법으로서 적극적으로 응용될 수 있을 뿐만 아니라, 가스센서로의 활용성을 크게 향상시킬 수 있다.