일반기술

금속 나노입자의 형성

본 발명은 금속 나노 입자 형성 방법에 관한 것으로서, (a) 절연체전구체를 Si등의 기판에 코팅하고 80~150℃로 중간 열처리하는 단계, (b) 상기 기판에 합금 박막을 증착하는 단계, (c) 다시 그 위에 절연체전구체를 코팅하고 위와 같은 조건으로 중간 열처리하는 단계, (d) 300~600℃에서 열처리하는 단계를 포함한다. 이때 합금은 절연체전구체와의 반응성이 좋은 미량의 금속과 반응성이 적은 다량의 금속으로 설계된다. 열처리하는 과정에서 반응성이 좋은 미량의 금속은 박막에서 나노 입자로 쪼개어지는데 이용되고 이런식으로 형성된 입자는 절연체전구체와의 반응성이 적은 금속으로 이루어진다. ((a)과정은 생략 가능)일반적으로 나노 입자가 산화물의 Shell을 갖는데 비해 본 발명에서의 나노 입자는 금속으로 이루어져 있으며 이는 합금 설계에 따라 원하는 금속의 나노 입자로 제작할 수 있다. 이렇게 형성된 나노 입자는 절연체전구체가 이미 코팅되어 있어 별도의 보호층이 불필요하고 단일층으로 형성된다. 또한 절연체전구체에 의해 입자간 상호반응이 억제되고 균일한 크기의 나노 입자가 형성된다. 금속나노입자 형성방법에 의하면 절연체전구체층 사이에 절연체전구체와 반응성이 좋은 미량의 금속과 반응성이 적은 다량의 금속으로 이루어지는 합금을 위치시키고 열처리함으로써 균일한 크기와 분포를 갖는 금속 나노 입자를 형성할 수 있다.