일반기술

산화아연 박막 성장 방법 

본 발명은 AL2O3 기판 위에 ZNO 박막을 성장시켜 막 성장된 ZNO 박막 내에 내재된 결함들의 기원에 대하여 관찰하여 ZNO 박막의 최적 성장 조건을 얻을 수 있도록 하는 것으로, 이는 펄스 레이저 증착 시스템을 이용한 펄스 레이저 증착법으로 ZNO 박막을 성장시키는 방법에 있어서, ZNO 소결체에 레이저를 소정 에너지로 조사함과 더불어 ZNO 박막을 성장시키기 위한 기판의 온도를 소정 온도로 고정하여 ZNO 박막을 성장시키고, 이후, 광발광 측정에 의해 상기 기판에 성장된 ZNO 박막의 결정성을 측정하여 ZNO 박막 내에 내재된 점 결함을 파악할 수 있도록 한 것이다.펄스 레이저 증착 시스템을 이용한 펄스 레이저 증착법으로 ZNO 박막을 성장시키는 방법에 있어서, ZNO 소결체에 레이저를 소정 에너지로 조사함과 더불어 ZNO 박막을 성장시키기 위한 기판의 온도를 소정 온도로 고정하여 ZNO 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 성장 방법.상기 ZnO소결체는 ZnO미세결정을 성형한후, 1150도로 20시간 소결하여 제작한 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 성장 방법광발광 측정에 의해 상기 기판에 성장된 ZnO박막의 결정성을 측정하여 ZnO박막내에 내재된 점 결함을 파악하는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 성장 방법