일반기술

반사 억제층을 구비한 갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조 방법

본 기술은 갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반사 억제층을 구비한 갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 갈륨 나이트라이드계 발광소자는 빛을 발산하는 p형 갈륨 나이트라이드(p-GaN) 영역 상에 대개 10nm 정도의 두께를 가지는 p형 전극(p형 투명 금속 전극)이 코팅되어 있다. 따라서, 갈륨 나이트라이드계 발광소자는 소자의 내부 활성층에서 발산된 빛이 공기중으로 투과되어 나올 때 상기 p형 전극으로 인해 빛의 일부는 투과되지 못하고 공기와의 계면에서 반사되어 내부에 갇혀 버리게 된다. 이러한 반사로 인한 빛의 손실은 30% 이상으로 이에 따라 광출력이 감소된다. 본 기술은 상술한 빛 손실 문제를 해결하여 빛 발산이 향상된 갈륨 나이트라이드계 광소자를 제공하고 상기 빛 발산이 향상되고 공정 수율을 증대시킬 수 있는 갈륨 나이트라이드계 광소자의 제조방법을 제공한다.본 기술의 갈륨 나이트라이드계 광소자는 기판 상에 형성된 n-GaN막과, 상기 n-GaN막 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p-GaN막과, 상기 p-GaN막, 활성층 및 n-GaN막을 선택적으로 식각하여 상기 n-GaN막을 노출하도록 마련된 트랜치 내에 형성된 n형 전극과, 상기 p-GaN막 상에 형성된 p형 전극과, 상기 n형 전극 및 p형 전극의 표면 일부에 형성된 본딩 금속 패턴과, 상기 p형 전극의 표면, 트랜치의 측벽 및 n형 전극 상에, 상기 활성층에서 발산된 빛이 반사되지 못하게 함과 아울러 금 와이어 본딩시 금 와이어 본딩 금속과 상기 트랜치의 측벽이 단락되는 것을 방지하도록 Si3N4층 또는 SiOxNy층으로 형성된 반사 억제층을 구비하여 이루어진다. 본 기술의 갈륨 나이트라이드계 광소자는 p-GaN막 상의 p형 전극 위에 반사 억제층을 형성함으로써 광출력을 증가되고, 제조 공정시는 금 와이어 본딩시 일어날 수 있는 단락에 의한 소자 수율 저하를 방지할 수 있다.