일반기술

금속 착체 및 이를 이용한 금속 나노점의 제조 방법

본 기술은 금속 착체 및 이를 이용한 금속 나노점의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는, 기화특성이 우수한 금속 착체, 및 상기 금속 착체를 사용함으로써 목적하는 금속 나노점을 용이하게 제조할 수 있는 유기금속 화학증착법(MOCVD, metal organic chemical vapor deposition)에 관한 것이다.최근 각광을 받고 있는 나노 기술에서 나노점의 응용은 점차 많은 부분을 차지하고 있다. 예를 들어, 전자 장치, 수소 저장장치, 필터 등에 폭넓게 사용되는 탄소 나노튜브 제조시, 절연체 기재 위에 금속 나노점을 형성한 후 이 위에 탄소 나노튜브를 형성하는 경우 금속 나노점 위에서 선택적으로 분해반응이 촉진됨으로써 탄소 나노튜브가 빨리 생성된다.따라서, 이러한 촉매로서의 역할을 비롯하여 다양한 용도를 갖는 금속 나노점을 기판 위에 균일하고 조밀하게 형성하는 것이 요구되나, 나노점을 형성하기 위해 기존에 사용되던 초기 핵형성(nucleation)법으로는 나노점의 크기와 밀도를 균일하게 조절하기가 어려웠다.본 기술은 기화특성이 우수한, 특정 구조의 금속 착체, 및 상기 착체를 사용하여 목적하는 금속 나노점을 용이하게 제조할 수 있는 유기금속 화학증착법을 제공하는 것이다.본 기술의 금속 착체는 열적으로 안정하여 취급이 용이하고 0 내지 130℃에서 기화하는 등 기화특성이 우수하며, 중요하게는, 전구체로서 MOCVD에 적용시 기판 상에 금속 나노점을 형성하는 특성을 가진다.본 기술에 따른 금속 착체의 증기를 바람직하게는 100 내지 300℃로 가열된 기판에 접촉시켜 기판 상에 금속 나노점을 증착시킬 수 있다. 운반기체로는 아르곤과 같은 비활성기체 또는 질소를 사용할 수 있으며, 기판으로는 통상적인 것을 사용할 수 있는데, 구체적인 예로는 백금, SiO2, TiN 및 규소 등을 들 수 있다. 이때, 온도 및 시간과 같은 증착조건, 금속 착체(전구체)의 구조 및 기판표면의 상태를 변화시켜, 증착되는 금속 나노점의 크기(예: 1 내지 700nm)와 밀도를 조절할 수 있다.기화특성이 우수한 본 기술의 금속 착체는 MOCVD에 적용시 금속 나노점으로 용이하게 전환될 수 있다.