일반기술

실리콘 웨이퍼의 산화막 상에 팔라디움 촉매 형성 방법

본 기술은 실리콘웨이퍼의 산화막(SiO2) 상에 팔라디움 촉매 형성 방법에 관한 것으로서, 탈지공정, 에칭공정, 캐탈라이징공정, 엑설러레이팅공정 및 도금공정을 순차적으로 수행하여 Si 및 SiO2를 포함하는 wafer 상에 무전해 도금을 수행하되, Si wafer 만 무전해도금하기 위해서는 일반적인 촉매형성과정을 거치나 SiO2를 포함하는 Si wafer 상에 무전해 도금을 수행하기 위해서는 -F기를 포함된 카탈라이징 용액을 하는 것을 특징으로 하여,; 본 기술의 실리콘웨이퍼의 산화막(SiO2) 상에 팔라디움 촉매 형성 방법에 의하여 처리된 산화막(SiO2)이 존재하는 실리콘웨이퍼 상에도 선택적으로 전극형성이 가능하여 다양한 제품에 전극형성이 가능하게 되어 이후의 다양항 공정의 적용이 가능하게 되는 효과를 가진다.본 기술은 실리콘 웨이퍼의 산화막(SiO2) 상에 팔라디움(Pd) 촉매 형성 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세히는 무전해 도금에서 전도성 부여 및 밀착력 향상을 위하여 반드시 필요한 촉매형성 공정을 거치는 과정에서, 일반적인 촉매형성의 경우 실리콘 웨이퍼 상에 팔라디움(Pd) 촉매형성은 비교적 쉽게 이루어지나, 자연적으로 생성되는 실리콘 웨이퍼 상의 산화형 실리콘인 산화막(SiO2)의 경우 화학적인 안정화를 이룬 상태이고 또한, 경면(mirror face)을 유지하므로 촉매형성이 되지 않기 때문에 이후의 무전해 도금이 전혀 수행되지 않는 문제점을 해결하기 위한 실리콘웨이퍼의 산화막(SiO2) 상에 팔라디움 촉매 형성 방법의 제공에 관한 것이다.종래로 부터의 반도체 제조공정에서 무전해 도금에서 전도성 부여 및 밀착력 향상을 위하여 반드시 촉매형성 공정을 거치는 공정을 포함한다. 이러한 촉매형성공정에서 일반적인 촉매형성의 경우 실리콘 웨이퍼 상에 주요한 촉매의 하나인 팔라디움(Pd) 촉매형성은 비교적 쉽게 이루어지나, 자연적으로 생성되는 실리콘 웨이퍼 상의 산화막(SiO2)의 경우 화학적인 안정화를 이루고 경면(mirror face)을 유지하므로 촉매형성이 되지 않았다.따라서, 후속 공정에서의 필요불가결한 무전해 도금이 전혀 수행되지 않는다는 주요한 공정 상의 문제점이 있어서 폭넓은 적용이 불가능하였다.본 발명의 실리콘웨이퍼의 산화막(SiO2) 상에 팔라디움 촉매 형성 방법은 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 방법의 제공에 관한 것이다.본 발명의 실리콘웨이퍼의 산화막(SiO2) 상에 팔라디움 촉매 형성 방법에 의하여 처리된 산화막(SiO2)이 존재하는 실리콘웨이퍼 상에도 선택적으로 전극형성이 가능하여 다양한 제품에 전극형성이 가능하게 되어 이후의 다양항 공정의 적용이 가능하게 되는 효과가 있다.