일반기술

저온 동시 소성용 유리기판의 복합 조성물 제조 방법

본 발명은 저온 동시 소성용 유리기판의 복합 조성물 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 전기전도도가 우수한 Ag, Ag/Pd 내부전극을 사용할 수 있고, 고주파 영역에서 사용 가능한 glass-ceramics를 950℃ 이하의 온도에서 소성이 가능하여 저가의 전극재료(Ag,Cu,Au)와 동시 소성하는 저온소결 다층기판재료인 고주파용 칩인덕터 소재용 유리기판을 제공하는데 그 목적이 있다.; 그리고, 본 발명의 고주파용 칩인덕터 소재용 유리기판을 HTCC와 비교하면, 먼저 알루미나나 그 밖에 기판의 재료에서는 기판의 소결온도가 높아서(1500 ℃이상)배선 소재로 융점이 높고 전기저항이 큰 W, Mo, Pt 등을 사용할 수밖에 없었으나, 본 발명의 LTCC용 glass-ceramics의 경우 950℃ 이하의 저온 소결로 Ag, Cu, Au등 전기저항이 낮은 배선용 재료로 사용할 수 있는 특징이 있다.; 또한, 알루미나 기판의 경우 유전 상수가 높아 신호처리 시 전파속도를 느리게 하는 원인이 된다, 그러나 glass-ceramics의 경우 5.9로 다른 기판 재료에 비해 전파속도가 빠른 효과가 있다. 따라서 이와 같이 형성되는 기판은 고주파 대역에 사용할 수 있는 기판 제작에 용이함과 아울러 손실계수가 우수한 특징이 있다.본 발명은 전기전도도가 우수한 Ag, Ag/Pd 내부전극을 사용할 수 있고, 고주파 영역에서 사용 가능한 glass-ceramice를 950℃이하의 온도에서 소성이 가능하여 저가의 전극재료(Ag,Cu)와 동시 소성하는 저온소결 다층기판인 고주파용 칩인덕터 소재용 유리기판의 복합 조성물 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 유리기판은 SiO2 78∼85wt%, B2O3 12∼ 20wt%, Al2O3 0.5∼5wt%, K2O 1∼3wt% 중량 범위의 조합으로 형성된 고주파용 칩인덕터 소재용 유리기판의 복합 조성물 제조방법에 관한 것이다. 본원 발명에 따른 고주파용 칩인덕터 소재용 유리기판을 HTCC와 비교하면, 먼저 알루미나나 그 밖에 기판의 재료에서는 기판의 소결온도가 높아서(1500℃ 이상) 배선 소재로 융점이 높고 전기저항이 큰 W, Mo, Pt 등을 사용할 수밖에 없었으나, 본 발명의 LTCC용 glass - ceramics의 경우 950℃ 이하의 저온 소결로 Ag, Cu, Au등 전기저항이 낮은 배선용 재료로 사용할 수 있는 특징이 있다.그리고, 알루미나 기판의 경우 유전 상수가 높아 신호처리 시 전파속도를 느리게 하는 원인이 된다. 그러나 glass - ceramics의 경우 5.9로 다른 기판 재료에 비해 전파속도가 빠른 효과가 있다.따라서, 이와 같이 형성되는 기판은 고주파 대역에 사용할 수 있는 기판 제작에 용이함과 아울러 손실계수가 우수한 특징이 있다