일반기술
폴리스티렌술폰산이 그라프트된 폴리술폰 공중합물
본 발명은 연료전지용 고분자 전해질 막용 고분자 재료에 관한 것으로, 폴리 스티렌 술폰산이 그라프트된 폴리술폰에 관한 것이다. 폴리스티렌 술폰산의 그라프트 방법은 폴리술폰에 관능기를 도입 한 후 이를 이용하여 리빙 라디칼 중합을 이용하여 나트륨 스티렌 술폰산염을 중합하여 폴리스티렌 술폰산염이 그라프트된 폴리술폰 유도체를 얻었다. 이렇게 제조된 고분자를 막으로 제조한 후 수소 이온을 교환하여 우수한 이온 전도성을 나타내는 고분자 막을 제조하였다.본 발명에서 제조된 고분자 막은 최근 많은 관심을 받고 있는 연료전지용 고분자 전해질 막으로 적용이 가능하여, 자동차, 노트북, 핸드폰 등의 에너지 원으로 응용될 수 있으며 상업화될 경우 금액으로 환산할 수 없을 정도의 부가가치를 지니게 된다. 본 발명이 성공적으로 상업화 될 경우 현재 고분자 막 분야의 많은 부분을 대체 할 수 있을 것으로 생각된다. 폴리스티렌 술폰산이 그라프트된 폴리술폰의 제조와 연료전지용 고분자 전해질 막으로의 응용에 관한 것으로, 리빙 라디칼 중합을 이용하여 그 구조가 제어된 고분자물을 제조하고, 이를 연료전지용 고분자 전해질 막으로 응용하는 것을 그 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 고분자재료
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2006-05-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.