일반기술

금속 양자점 제조 방법과 이를 이용한 비 휘활성 메모리 소자 제작 방법

본 발명은, 금속 양자점 형성방법 및 비휘발성 메모리 소자 제조방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상에 금속막을 형성하는 단계와, 고온분위기에서 상기 금속막에 레이저를 조사하여 상기 금속막으로부터 금속양자점을 형성하는 단계를 포함하는 금속양자점 형성방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 반도체 기판 상에 터널링 절연막을 형성하는 단계와, 상기 터널링 절연막 상에 금속막을 형성하는 단계와, 고온분위기에서 상기 금속막에 레이저를 조사하여 상기 금속막으로부터 금속양자점을 형성하는 단계와, 상기 금속양자점 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 콘트롤 게이트를 형성하는 단계와, 상기 콘트롤 게이트 양측에 위치한 상기 터널링 절연막, 상기 금속양자점 및 상기 게이트 절연막을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 반도체 기판의 노출된 표면에 소스와 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리소자 제조방법을 제공한다.본 발명에 따르면, 기판 열처리 등에 의해 형성되는 고온분위기에서 레이저 조사를 실시함으로써 균일한 금속 양자점을 높은 재현성으로 형성할 수 있다. 또한, 이를 나노 플로팅 게이트 메모리와 같은 비휘발성 메모리 소자에 응용함으로써 종래의 실리콘 양자점보다 우수한 고효율의 비휘발성 메모리 소자를 구현할 수 있을 것으로 기대할 수 있으며, 그 공정도 간소하고 재현성도 우수하여 실제 양산화공정에 효과적으로 적용될 수 있다.