일반기술

Ge-Sb-Te계 스퍼터링용 고밀도 타겟의 급속 제조법

본 발명은 Ge-Sb-Te계 상변화형 광기록/메모리 소자 제작을 위한 고밀도 타겟의 제조 방법에 관한 것으로서 방전플라즈마 소결법을 이용하여 단 시간내에 화학양론 조성의 단일상을 합성하고 이를 소결하여 고밀도 타겟을 제조하는 급속 제조방법을 제공한다. 본 발명은 1) 단일상의 Ge-Sb-Te계 물질의 합성을 위해 방전플라즈마 소결법을 이용함에 있어서 인가된 펄스 전류가 단 방향으로만 재료내부로 공급되며 냉각용 가스의 주입 및 배출구를 갖도록 고안된 흑연 주형안에 위치한 Ge, Sb, Te 혼합물의 성형체를 고순도 질소 또는 아르곤 가스 분위기하에서 급속 반응 및 냉각하여 단일상을 합성하고 2) 이 반응을 통해 얻어진 Ge-Sb-Te 합금을 방전플라즈마 소결법에 의해 압축하에 소결하여 고밀도 소결체를 제조하는 단계로 구성되어 있다.본 발명에 의하면, 종래의 밀봉공정 또는 용융 및 급냉과정이 분리된 복잡한 합성공정과 비교하여 매우 간단하면서도 화학양론적 조성의 Ge-Sb-Te계 합금체를 빠른 시간안에 합성할 수 있으며 또한 고밀도의 소결체를 수분안에 제조할 수 있다. 이러한 공정을 광기록 또는 메모리 소자용 얇은 막 매체를 위한 스퍼터링용 타겟 제조에 도입함으로써 전체공정을 단순화하는 동시에 저비용으로 고밀도 스퍼터링용 타겟을 제조할 수 있어 그 공업적 가치는 매우 높다.