일반기술

교차하는 금속 전극 사이에 자발 형성된 나노 결정체를 포함한 고분자 박막층으로 구성된 수직 다층 정보 저장 장치

본 발명은 논리 소자 또는 기억 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 교차하는 전극 사이에 나노 결정체를 이용한 논리 소자 또는 기억 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 교차하는 전극 사이에 나노 결정체를 이용한 논리 소자 또는 기억 소자 제조 방법은 (a) 반도체 기판상에 제1전극을 증착하는 단계, (b) 상기 증착된 백금속의 상부에 제1절연막을 증착하는 단계, (c) 상기 절연막의 상부에 나노 크기의 결정체로 생성될 수 있는 백금속을 증착하는 단계, (d) 상기 백금속의 상부에 제2절연막을 증착하는 단계, (e) 상기 백금속에 미리 설정된 온도와 시간으로 열을 가하여 분산된 나노 결정체를 생성하는 단계, (f) 상기 제2절연막의 상부에 상기 제1전극과 평행하지 않게 제2전극을 증착하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명에 따르면, 나노 크기의 결정체를 포함한 박막 구조에서 박막 내에 전자를 포획하는 성질을 이용하여 논리 소자 또는 기억 소자를 구현할 수 있다.본 발명에 따른 교차하는 전극 사이에 나노 결정체를 이용한 논리 소자 또는 기억 소자 및 그 제조 방법은 나노 크기의 결정체를 포함한 박막 구조에서 박막 내에 전자를 포획하는 성질을 이용하여 논리 소자 또는 기억 소자를 구현할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 교차하는 전극 사이에 나노 결정체를 이용한 논리 소자 또는 기억 소자 및 그 제조 방법은 고분자 내에 분산된 나노 결정체의 크기 또는 밀도를 조절하여 나노 플로팅 게이트의 성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 교차하는 전극 사이에 나노 결정체를 이용한 논리 소자 또는 기억 소자 및 그 제조 방법은 종래의 Si 기반의 플래시 메모리에 비해 소자 제작이 간단하다. 또한, 본 발명에 따른 교차하는 전극 사이에 나노 결정체를 이용한 논리 소자 또는 기억 소자 및 그 제조 방법은 적층 구조에 따른 3차원 구조로 소자를 제작하여 정보 저장량 한계를 극복할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 교차하는 전극 사이에 나노 결정체를 이용한 논리 소자 또는 기억 소자 및 그 제조 방법은 전극과 나노 결정체 사이에 양자 터널링 효과를 이용하여 전하를 저장함으로써 작은 전력 소비와 빠른 속도로 소자를 작동할 수 있다.