일반기술

화학양론적 조성의 상변화형 광 및 전자 메모리 재료의 합성방법

본 발명은 상변화형 광기록 및 차세대 메모리소자 재료의 합성법에 관한 것으로서 고온에서의 물질 휘발을 억제하고 급속 가열 및 냉각을 통해 화학양론 조성의 단일상을 제조하는 합성법을 제공한다. 화학양론적 물질의 합성을 위해 펄스 전류에 의한 저항가열을 이용함에 있어서 인가된 펄스 전류가 한 방향으로만 재료내부로 공급되며 냉각용 가스의 주입 및 배출구를 갖도록 고안된 흑연 주형안에 혼합된 원료를 가압한 성형체를 위치하고 이를 고순도 질소 또는 아르곤 가스 분위기하에서 수분 안에 가열함으로써 급속 반응 및 응고 처리한다. 이 반응을 통해 금속 용기 또는 석영에 의한 봉입 없이 빠른 시간안에 화학양론적 조성의 광기록용 상변화형 물질을 합성하는 방법을 특징으로 한다.본 발명의 특징은 상변화형 물질을 합성하기 위해 1. 펄스 전류를 인가하여 물질 자체의 저항가열을 유도하며 2.고안된 흑연주형을 이용하여 전체 합성공정이 수십분 안에 이뤄져 저융점 원소의 휘발을 억제하여 화학양론적 단일상을 급속 합성하는 공정을 제공하는 것을 특징으로 한다. 종래의 밀봉공정 또는 용융 및 급냉과정이 분리된 복잡한 합성공정과 비교하여 매우 간단하면서도 화학양론적 조성의 상변화형 합금체를 빠른 시간 안에 합성할 수 있으며, 높은 휘발성을 갖는 물질의 치환시에도 매우 효과적으로 화학양론적 조성을 유지할 수 있다.