일반기술

고분자 박막 내에 자별 형성된 Ni1-XFeX 나노 결정체를 이용한 전하포획과 방출 역할하는 나노 플로팅 게이트 제작

차세대 메모리 소자인 플래쉬 기억소자의 나노 플로팅 게이트 형성에 있어서, 상온에서 낮은 전압에서도 기판에서 전자가 절연층을 투과하여 나노 결정체에 포획되는 효과가 가능한 물질과 간단하게 나노 결정체의 크기나 밀도의 제어가 가능한 기술이 필요하다. 차세대 플래쉬 기억소자에 대한 이러한 필요성을 바탕으로 본 발명이 제시한 새로운 나노 플로팅 게이트는 폴리아믹 산과 금속의 화학적 결합에 의해 폴리아미드 속에 생성된 Ni1-XFeX 금속 나노 결정체로 형성하며, 이 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트는 전기적, 화학적으로 안정한 장점이 있다. 나노 플로팅 게이트를 가진 Al/폴리아미드/Ni1-XFeX 나노 결정체/폴리아미드/n-Si(100) 구조에 대한 정전용량-전압 특성은 Ni1-XFeX 나노 결정체가 전하를 포획했음을 나타낸다. 이러한 전기적, 화학적 안정성 및 제작 공정의 간편함으로 인해 고효율과 저비용의 플래쉬 기억소자의 제작이 가능하다.본 발명은 고분자 박막 내에 자발형성된 Ni1-xFex(0<x<0.5) 나노결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 갖는 고효율 저비용의 플래쉬 메모리 소자에 관한 것으로 본 발명의 Ni1-xFex 나노결정체를 갖는 나노 플로팅 게이트의 제조방법에 따르면 Ni1-xFex 나노결정체의 크기와 밀도의 조절이 용이하며 이를 통한 나노 플로팅 게이트의 성능을 향상시킬 수 있다. 또한 전기적 , 화학적으로 안정한 나노 플로팅 게이트를 이용함으로써 고효율 저비용의 나노 플로팅 게이트의 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하는 효과가 있다.