일반기술

마이크로파 주사를 이용한 금속 텅스테이트 나노형광체의 저온합성법

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)/필드 에미션 디스플레이(FED) 소자 재료로 사용가능한 금속 텅스테이트 나노형광체의 합성법에 관한 것으로서, 마이크로파 주사를 통한 균일한 반응 및 낮은 온도에서의 가열을 통해 화학양론 조성의 단일상을 제조하는 합성법을 제공한다. 출발물질로서 금속 아세트산염과 텅스텐산을 사용하며, 균질한 조성의 형광체를 합성하기 위해 용액의 혼합 및 반응과정 중에 마이크로파를 주사하여 용액내의 균질한 반응을 도모한다. 이러한 공정을 통해 빠른 시간안에 용액의 고상화가 이루어지며 낮은 온도에서 나노크기수준의 단일조성의 금속 텅스테이트 형광체를 합성하는 방법을 특징으로 한다.금속 텅스테이트의 합성방법에 의하면, 금속아세테이트염과 텅스텐산을 이용하여 금속 텅스테이트를 합성하는 과정에서 마이크로파를 주사하여 저온에서 나노크기 수준의 입도를 갖는 입자를 형성하므로써, 전체 공정이 몇시간 안에 이뤄짐으로써 종래의 금속 텅스테이트 합성방법에 비해서 매우 빠르고 효율적이며 우수한 합성방법이다. 나노크기 수준의 금속 텅스테이트 형광체를 합성하기 위해 1. 금속 아세테이트염과 텅스텐산을출발물질로 사용하며 2. 마이크로파 주사를 통해 전체 합성공정이 몇 시간 안에 균질하게 이뤄져 화학양론적 단일상과 나노크기 수준의 입도를 갖는 금속 텅스테이트 형광체를 합성하는 공정을 제공하는 것을 특징으로 한다.