일반기술

플라즈마 처리장치

* 원리 및 구성본 기술은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마가 항상 온된 상태에서 소스와 함께 공급되는 플라즈마를 셔터를 이용하여 기계적으로 제어하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. 최근, 반도체소자의 미세화에 대응해서, 드라이에칭에 있어서는, 고아스펙트비의 가공 등을 실현하기 위하여, 또 플라즈마 CVD 및 ALD에 있어서는 고아스펙트비의 매립 등을 실현하기 위하여, 보다 고진공으로 플라즈마처리를 행하는 일이 요구되고 있다. 종래의 일반적인 평행평판형의 플라즈마 처리장치는 진공챔버 내에 기판을 얹어놓는 기판전극과 대향전극을 배설하고, 이들 전극 사이에 전극용 고주파전원에 의해서 고주파전압을 인가하므로써 진공챔버 내에 플라즈마를 발생시키도록 구성되어 있다. 이러한 플라즈마 처리장치에서 플라즈마와 기판과의 반응을 제어하기 위해서는 전기적인 제어를 통하여 플라즈마를 온오프한다. 그러나, 전기적인 제어에 의해 플라즈마를 온오프하는 경우에는 필수적으로 매칭 시간이 소요되므로 작업성이 감소한다는 문제점이 있다. 또한, 잦은 플라즈마 온오프에 의해 불균일한 플라즈마가 형성될 수 있고 플라즈마의 수명이 단축된다는 문제점도 있다. 따라서, 본 기술은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제시되는 것으로, 본 기술의 목적은 플라즈마가 항상 온된 상태에서 플라즈마의 공급을 제어함으로써 별도의 매칭 시간이 소요되지 않으며 플라즈마의 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.* 특징 및 장점 - 플라즈마 통로를 높이 방향으로 경사지게하거나 절곡되게 하여 직진성을 가진 이온들의 진로를 방해하여 기판에 이온들의 도달을 방지할 수 있다. - 매니폴더에 바이어스를 인가하여 플라즈마의 영역을 조절할 수 있고 이온들의 직진성에 의한 진로를 막을 수 있는 형태의 플라즈마 통로를 가짐. - 플라즈마에 의해 형성된 이온들이 기판에 도달하는 것을 방지하여 박막 증착시 이온들에 의해 유발되는 손상을 최소화 할 수 있음. - 플라즈마와 기판의 반응이 전면에서 균일하게 이루어질 수 있다. - 플라즈마 이온의 충격에 의한 기판의 손상을 최소화할 수 있다.* 적용응용분야 및 시장성플라즈마의 효율을 증대 시킬 수 있으며 플라즈마 온오프의 적용이 용이할 뿐만 아니라 각 반도체 회사의 박막 증착 장비에 적용가능하다.