일반기술

ReRAM 소자용 산화박막의 안정화를 위한 산화박막의 플라즈마 처리방법

플라즈마 처리 공정을 이용한 ReRAM 소자용 산화박막의 안정성 구현 :본 발명은 ReRAM소자용 산화박막의 플라즈마 처리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 재현성이 우수한 균일한 산화박막의 처리방법에 관한 것이다. ReRAM소자용 산화박막의 소자 안정화를 위한 박막처리방법이 제공된다. 이 방법은, 기판상에 하부 전극막을 형성하는 단계, 진공분위기에서 상기 하부 전극막상에 ReRAM소자용 산화박막을 형성하는 단계, 상기 산화막을 플라즈마 처리하는 단계, 상기 플라즈마 처리된 산화막상에 상부 전극막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.플라즈마 처리 공정을 이용하여 ReRAM 소자용 산화박막의 제현성 확보 및 수율 향상 : 본 발명에 따르면, ReRAM소자용 산화박막의 안정화를 위해 플라즈마 이온 처리를 진행함으로서 간단한 공정으로 산화막내의 point defect들을 control 할 수 있으므로, 종래의 페로브스카이트계 및 이원산화물계 등을 포함하는 ReRAM소자용 산화박막보다 우수한 고효율의 비휘발성 메모리 소자를 구현할 수 있다. 진공상태에서 ReRAM 소자용 산화막의 형성과 플라즈마 처리공정을 행하기 때문에 표면오염 우려 없이 ReRAM 소자용 산화박막을 간단한 공정으로 형성할 수 있다. 플라즈마 처리된 산화박막은 ReRAM와 같은 비휘발성 메모리 소자에 응용함으로써 종래의 페로브스카이트계 및 이원산화물질 보다 우수한 고효율의 비휘발성 메모리 소자를 구현할 수 있을 것으로 기대할 수 있으며, 재현성도 우수하여 실제 양산화공정에 효과적으로 적용될 수 있다.