일반기술
LTPS TFT 고속 LVDS 수신기와 보상회로
본발명은 저온 다결정 실리콘공정을 이용한 박막 트렌지스터(이하 Poly-Si TFT(Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor)라 함)로 구현된 저 전압 차동 신호 수신기(이하, LVDS라 함)에 관한 것으로, 특히 Poly-Si TFT의 회로적인 구현상 문제점인 문턱전압과 이동도의 불균일한 분포에 의한 에러 보상 기법과 회로에 관한 것이다. 수신기의 좌우에 존재하는 문턱 전압과 이동도에 의한 오프셋을 보상하기 위해 추가 전류원을 인가하는 방법을 도입한다. 이러한 추가 전류원에 의해 수신기 입력 단의 좌우가 대칭성을 갖게 되면 문턱전압과 이동도의 차이에 인한 오류를 상쇄한다. 추가 전류원의 구동은 축차 근사법으로 이루어지고 오프셋의 유무와 극성을 판별하고 그 결과를 피드백 신호로 내보내는 회로로 구성된다. 본 발명은 저온 다결정 실리콘공정을 이용한 박막 트렌지스터(이하 Poly-Si TFT(Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor)라 함)로 구현된 저 전압 차동 신호 수신기(이하, LVDS라 함)에 관한 것으로, 특히 Poly-Si TFT의 회로적인 구현상 문제점인 문턱전압과 이동도의 불균일한 분포에 의한 에러 보상 기법과 회로에 관한 것이다. 본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제는 Poly-Si TFT의 문턱전압과 이동도의 불규칙적 분포를 커패시터-스위치 구조를 사용하지 않는 보상회로를 이용한 고속 동작 LVDS 수신기를 제공하는 것이다. 또한, 다수의 LVDS 수신기에 적용할 수 있는 범용 보상회로를 발명하여 휴대용기기에 알맞은 소형화된 집적회로를 제공하는 것이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전자요소 기술
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2006-05-18
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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