일반기술

마스크 멤브레인의 제조방법

본 발명은 p-type (100) 실리콘 기판 위에 Ar으로 희석한 5% SiH4, CH4 및 N2를 원료가스로 하여 증착하는 제1단계; 및 앞면에 SiCxNy, 뒷면에 SiNx가 증착된 Si 웨이퍼의 뒷면을 노광하고 이방성 식각하여 멤브레인을 완성하는 제 2 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 SiCxNy 물질을 ECR 플라즈마 CVD 반응기로 합성하여 LIGA용 마스크 멤브레인으로 작용함으로써 기존의 SiNx 멤브레인 물질의 단점을 보완하는 효과가 있다.본 발명은 p-type (100) 실리콘 기판 위에 Ar으로 희석한 5% SiH4, CH4 및 N2를 원료가스로 하여 증착하는 제 1 단계 ; 및 앞면에 SiCxNy, 뒷면에 SiNx가 증착된 Si 웨이퍼의 뒷면을 노광하고 이방성 식각하여 멤브레인을 완성하는 제 2 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 제 1 단계는 증착온도 700℃, 마이크로웨이브 파워 600W, 공정 압력을 10mTorr로 고정시킨 상태로 수행된다. SiCxNy 물질을 ECR 플라즈마 CVD 반응기로 합성하여 LIGA용 마스크 멤브레인으로 작용함으로써 기존의 SiNx 멤브레인 물질의 단점을 보완하는 효과가 있다.