일반기술

AFM 리소그래피용 아조 화합물 레지스트

본 발명은 유기물질을 화학결합이 아닌 스핀코팅 방법에 의해서 박막을 형성하므로, 얇고 균일한 박막을 형성함과 동시에 패턴 후 박막 제거 단계가 매우 수월하다는 장점을 이용하여 수 nm 수준의 미세 패턴을 제조하는 기술에 대한 것이다. 본 발명을 통하여 제조된 레지스트 물질을 이용하여 최적 공정조건을 개선하면 수 nm 수준의 극미세 패턴형성이 가능하며, 이와 관련된 기술은 테라비트급 반도체 기억 소자와 초박막패턴 기술을 나노 감지 소자 제조에 응용 할 수 있다.본 발명은 금속 기판 위에 전자를 잘 주는 그룹과 잘 받는 그룹이 함께 존재하고 π-conjugation으로 이루어진 유기물질을 화학결합이 아닌 스핀코팅 방법에 의해서 박막을 형성하므로, 얇고 균일한 박막을 형성함과 동시에 패턴 후 박막 제거 단계가 매우 수월하다는 장점을 이용하여 수 nm 수준의 미세 패턴을 제조하는 기술에 관한 것 이다. 본 레지스트 물질을 이용하여 최적 공정조건을 개선하면 수 nm 수준의 극미세 패턴형성이 가능하다.