일반기술

AFM 리소그래피용 아크릴레이트계 공중합체 및 이를 이용한 미세 산화패턴 형성방법

* 원리 와 구성본 기술은 원자현미경(Atomic Force Microscope: AFM)을 이용한 산화 구조물 패턴 형성에 사용될 수 있는 새로운 구조의 실리콘을 함유한 아크릴레이트계 3원 공중합체 및 이를 이용하여 반도체 또는 금속 기판상에 회전도포법으로 형성된 초박막 레지스트위에 AFM 리소그래피 기술을 이용하여 수십 나노미터 크기의 산화패턴(산화 구조물 패턴)을 형성하는 방법에 관한 것이다. 기술은 AFM(Atomic Force Microscope) 리소그래피에 응용되는 다음의 화학식 1의 구조를 가지는 아크릴레이트계 3원 공중합체를 제공한다. 또한, 본 기술은 다음의 화학구조를 갖는 중합체를 반도체 또는 금속 기판 위에 회전도포법으로 초박막을 형성시킨 후, AFM 탐침(probe)을 이용하여 초박막에 국부적으로 전압을 가하여 수십 나노미터의 선폭을 갖는 나노구조물(nanostructure)을 형성하는 방법에 관한 것이다.* 발명의 특징본 발명은 AFM(Atomic Force Microscope) 리소그래피에 응용되는 실리콘을 함유한 아크릴레이트계 공중합체를 제공한다. 또한, 본 발명은 반도체 또는 금속 기판위에 다음의 상기의 공중합체로 이루어진 초박막을 형성시킨 후, 새로운 미세가공 장치인 AFM의 탐침을 이용하여 상기의 박막에 국부적으로 전압을 가해주어 수나노 미터 크기의 산화 패턴 형성시키는 기술에 관한 것이다. 본 발명에서 제공하는 실리콘 함유의 아크릴레이트계 공중합체는 AFM 을 이용한 산화패턴 형성 시에 충분한 감도를 가지면서 기판 위에 도포 성능이 뛰어나며 막질에 대하여 우수한 접착 특성을 가진다. 또한 0.1㎛ 이하의 미세 패턴을 형성할 수 있다.적용응용분야 및 시장성본 레지스트 물질을 이용하여 최적 공정조건을 개선하면 수 nm 수준의 극미세 패턴형성이 가능하며, 이와 관련된 기술은 테라비트급 반도체 기억 소자와 초박막 패턴 형성기술을 응용하여 매스미디어 분야의 중요한 원천요소기술이 될 수 있다. 본 발명에서 개발한 공중합체는 고집적 반도체 소자를 제조하는데 있어서 매우 유용한 레지스트 조성물로 사용되어질 수 있어 고용량의 메모리소자의 개발에 큰 기대효과가 있다. 반도체 제조공정이 복잡해지고 집적도가 증가함에 따라서 미세한 패턴 형성이 요구되고, 그에 따라 새로운 리소그래피 기술에 있어서도 미세패턴용 내에칭성 레지스트 재료의 공급이 절실히 요구되는 상황이다. 본 발명에서 개발한 공중합체의 합성과정이 간단하며, 차세대 리소그래피 기술에 응용 가능 할 뿐만 아니라 기존 광 리소그래피 기술에도 응용될 수 있다.