일반기술

원자층 화학기상증착을 이용한 게이트 산화막 형성방법

* 원리 및 구성본 발명은 원자층 화학기상증착을 이용하여 게이트 산화막용 금속 산화막을 형성하는 방법을 개시한다. 본 발명의 금속 산화막 형성방법은 본 발명의 게이트 산화막 형성방법은, 원자층 화학기상증착용 반응로에 반도체 기판을 장입하는 단계; 제 1 시간 동안 금속과 산소를 포함하는 소오스 가스를 상기 반응로에 공급하는 단계; 상기 제 1 시간의 경과후, 제 2 시간 동안 퍼지 가스를 공급하는 단계; 상기 제 2 시간의 경과후, 제 3 시간 동안 H2, O2 또는 H2O 플라즈마를 상기 반응로 내에 형성하는 단계; 및 상기 제 3 시간의 경과후, 제 4 시간 동안 상기 퍼지 가스를 공급하는 단계를 1 사이클로 하여 목표한 두께가 얻어질 때까지 상기 사이클을 반복한다.* 발명의 특징게이트 산화막의 형성방법으로 산소, 수소 또는 물 분자 플라즈마를 원자층화학기상증착법에 적용한 형성방법이다. 새로운 개념의 증착법인 원자층 화학기상증착법 방법을 적용한 것이다.* 적용응용분야 및 시장성반도체 메모리 소자를 위한 게이트 산화막에 적용된다. 단원자층의 두께로 형성이 가능하고, 박막내의 불순물 함량이 적고, 박막 도포성이 우수하다. 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 디자인 룰이 점점 감소함으로 원자층 화학기상증착법의 적용이 많아질 것으로 예상된다. 앞으로 많은 기업들이 본 증착방법을 적용할 것으로 보인다.