일반기술

확산방지막내에 동종금속의 중간 금속박막을 적용한 반도체소자의 제조방법

반도체 기판 상에 부도체막을 형성하고, 부도체막 위에 제1확산방지막을 형성하며, 제1확산방지막 위에 제1확산방지막과 동일한 종류의 금속으로 이루어진 중간 금속박막을 형성한 후, 다시 제1확산방지막과 동일한 재질의 제2확산방지막을 형성하고 그 위에 구리막을 형성한다. 이에 따라 확산방지막과 그 위에 형성되는 중간 금속박막에 대하여 이종금속을 사용하는 구조에 비해서 비저항이 증가하는 것을 방지할 수 있으며, 중간 금속박막이 제1확산방지막 및 제2확산방지막의 결정립계를 효과적으로 충진해줌으로서 구리 배선층으로부터 제1 확산방지막 및 제2확산방지막으로의 확산을 방지할 수 있다.본 발명에 의한 구리 배선 구조에 있어서는 제1확산방지막 에 중간 금속박막으로 동일한 물질의 금속을 증착하고, 다시 중간 금속박막 위에 제1확산방지막과 동일한 재질의 제2확산방지막을 형성한다.이에 따라 제1확산방지막과 그 위에 형성되는 중간 금속박막에 대하여 이종금속을 사용하는 구조에 비해서 비저항이 증가하는 것을 방지할 수 있으며 Al을 사용함으로서 생기는 계면 불균일을 억제할 수 있다. 또한, 이에 따라 서브미크론 이하의 소자에서 응답속도가 저하되지 않는다. 또한, 수직 프로파일 형성이 가능함으로서 미세패턴 가공을 용이하게 하며, 대량생산시 충분한 마진을 확보할 수 있는 이점이 있다. 또한, 공정이 간단해져서 재현성이 우수하다는 이점이 있다.더욱이, 제1확산방지막/중간 금속박막/제2확산방지막의 구조를 가짐으로서 중간 금속박막이 제1확산방지막 및 제2확산방지막의 결정립계를 효과적으로 충진해줌으로서 구리 배선층으로부터 제2확산방지막으로의 확산을 방지할 수 있다.