일반기술

이중 플로팅 게이트를 사용한 다중준위 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법

* 배경다중 준위 플래시 메모리 소자는 단일 준위 플래시 메모리 소자보다 비교하여 단위 셀당 저장 능력이 우수하다. 그러나 다중 준위 플래시 메모리는 동작 전압이 높고, 쓰기/지우기 속도가 느리다. * 원리 및 구성본 발명에서 제시한 이중 플로팅게이트를 가진 다중 준위 플래시 메모리 셀은 기존의 다중 준위 플래시 메모리 셀 보다 동작 전압을 낮추고, 쓰기/지우기 속도를 향상 시켰다. 본 발명의 목적은 프로그램 속도를 향상 시키면서 동시에 동작 전압도 낮출 수 있는 이중 플로팅 게이트를 가진 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제시하는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 단위 면적당 저장 용량을 크게 할 수 있는 이중 플로팅 게이트를 가진 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제시하는데 있다.* 특징 및 장점본 발명에 따른 이중 플로팅 게이트를 가진 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법은 낮은 전압에서 동작한다. 본 발명에 따른 이중 플로팅 게이트를 가진 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법은 빠른 쓰기/지우기를 할 수 있다. 본 발명에 따른 이중 플로팅 게이트를 가진 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법은 단위 면적당 저장 용량을 크게 할 수 있다. 다중 준위 플래시 메모리 소자를 사용함에 있어서 이중 플로팅 게이트 구조를 제시한다. 동작 전압을 낮추고, 쓰기 /지우기 속도를 향상시킬 수 있다.* 적용응용분야 및 시장성 - 차세대 다중 준위 플래시 메모리 셀 제작에 적용 가능. - 국내외 시장성은 수천만 불이 예상됨.