일반기술

고밀도 평판형 발광다이오드 백색 조명램프

본 고안은 고밀도 평판형 발광다오이드 백색 조명 램프의 제작공정에 관한 것으로서 특히, 사파이어 기판위에 다수의 발광칩들이 배열되도록 청색 또는 자색 발광다이오드 적층 구조를 형성하고 일체형 회로를 통해 작은 체적공간상에 집적된 조명램프에 관한 것이다. 여기서 일체형 회로는 기존의 개별적 발광다이오드를 갖는 양 및 음 전극을 각각 금속배선으로 연결하는 것으로서 웨이퍼 상의 발광다이오드 칩 위에 형광물질을 도포하고 고밀도로 집적화 시킴으로써 고휘도 백색램프를 구현하는 고밀도 평판형 발광다이오드 조명램프에 관한 것이다. 이상에서와 같이 본 고안은 기존의 방식인 웨이퍼위에 증착된 발광다이오드칩을 개별적으로 분리하여 에폭시 밀봉제로 감싸 만든 인디케이터 램프를 다수 조립한 반도체 백색 전등의 가시조도가 미약한 문제점을 보완한 것으로 웨이퍼위에 발광다이오드를 증착한 다음 칩간의 금속배선으로 회로를 구성함으로써 웨이퍼가 고휘도 가시용 조도를 갖는 백색전등의 기능을 갖는 효과를 제공한다.발광다이오드 램프에 있어서, 사파이어기판위에 GAN 완충층, N-형 GAN 오믹접촉층, UNDOPED GAN층, INGAN/GAN 다중양자우물 발광활성층, P-형 ALGAN 클래딩층, P-형 GAN 오믹접촉층의 적층구조 형태를 갖으며, N-형 GAN 오믹접촉층 위에 형성된 N-형전극 금속배선과 P-형 GAN층 위에 형성된 NI/AU 투명전극층, N-형 금속배선층을 보호하는 SIO2절연막과, 상기 절연막의 부분식각 구멍을 통해 연결된 P-형 전극과 절연막위에 형성된 금속배선과 다시 SIO2절연막의 피복층을 갖는 것을 특징으로 하는 고밀도 평판형 발광다이오드 램프.