일반기술

ALD방법에 의한 반도체 디바이스 및 그 제조 방법

본 발명의 경우에는 원자층 증착 방법 방법으로 낮은 저항의 Ni박막을 증착하여 니켈 실리사이드를 형성하는 반도체 디바이스 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 실리콘 기판상에 게이트 패턴 및 소오스 / 드레인 영역을 형성된 상기 실리콘 기판상에 ALD공정으로 Ni 박막을 증착 시키는 단게와 상기 니켈 박막이 형성된 상기 실리콘 기판을 열처리 하여 상기 게이트 패턴과 소오스/드레인 영역상에 각각 니켈 박막을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 반도체 디바이스의 제조방법 및 그 반도체 디바이스를 제공하는 것이다.본 발명은 원자층 증착 방법으로 Ni박막을 증착하여 니켈 실리사이드를 형성함으로써 65나노 이하의 선폭을 가지는 CMOS 소자의 살리사이드 공정과 FUSI 게이트 공정에 적용 할 수 있게 한다. 또한 증착된 Ni 박막은 보다 낮은 온도에서 증착됨에도 PVD 방법에 의해 얻어진 면저항 값 이하의 낮은 저항값을 가질 수 있게 한다. (또한 ADL 방법으로 증착된 Ni박막은 RTP 공정 진행상에서 탄소의 잔류에 의한 자동 캡핑층 형성으로 공정도중 발생하는 불순물의 침투를 방지하고 NiSi형성을 위한 RTP구간을 넓게 확보할수 있게 한다. )