일반기술

초음파 교반을 수반한 실리콘 웨이퍼의 알루미늄 패드에 대한 징케이트 처리방법

본 발명은 실리콘 웨이퍼의 알루미늄 패드에 대한 징케이트 처리방법을 제공하되, 상기 징케이트 처리방법은 상기 실리콘 웨이퍼 상의 알루미늄 패드의 표면을 세척하는 단계와; 상기 세척단계를 거친 상기 실리콘 웨이퍼를 공지의 징케이트 용액에 넣은 후 상기 실리콘 웨이퍼가 담지된 상기 징케이트 용액을 초음파 기기에 장입하는 단계와; 상기 실리콘 웨이퍼에 초음파를 인가한 상태로 28내지 40kHz로 교반하여 아연으로 이루어진 중간접착층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에따라, 알루미늄 패드상에 무전해 도금의 징케이트 처리에 의해 활성화하는 과정에서 처리 회수를 줄여 공정을 단순화하여 미세하고 균일한 표면의 아연층을 형성하고 생성된 도금층의 내부 잔류 응력을 감소시키며, 도금된 층과 기판사이의 접착력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 본 발명은 알루미늄 패드상에 무전해 도금의 징케이트 처리를 수행하는 방법에 있어서 징케이트 처리를 하는 동시에 초음파를 인가한 상태로 교반하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 알루미늄 패드상에 무전해 도금의 징케이트 처리에 의해 활성화 하는 과정에서 처리 회수를 줄여 공정을 단순화하여 미세하고 균일한 표면의 아연층을 형성하고 생성된 도금층의 내부 잔류 응력을 감소시키며, 도금된 층과기판 사이의 접착력을 향상 시킨다. 실리콘 웨이퍼의 알루미늄 패드상에 대한 징케이트 처리에 있어 실리콘 웨이퍼의 표면 세척과 징케이트 용액에 넣은 후 초음파 기기에 장입하고 상기 실리콘 웨이퍼에 초음파를 인가한 상태로 28 내지 40kHz로 교반하여 아연으로 이루어진 중간접착층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.