일반기술

터널링 절연체 층 위에 고분자 박막안에 형성된 Ni1-xFex 나노 결정체를 이용한 플로팅 게이트 구조를 이용한 플래시 기억소자

본 발명은 터널링 절연체 층 위에 자발 형성된 Ni1-xFex (0<x<0.5) 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트 구조를 갖는 고속 동작이 가능한 플래시 메모리 소자의 구조와 공정에 관한 것으로, 본 발명이 제시한 터널링 절연체 층 위에 자발 형성된 Ni1-xFex나노 결정체를 갖는 나노 플로팅 게이트는 새로운 구조의 나노 플로팅 게이트는 플래시 메모리의 쓰기와 지우기 속도를 향상시키고 플로팅 게이트내 전하를 장시간 보유할 수 있는 플래시 기억소자 제작 방법 제시.기존의 나노 결정구조를 포함한 고분자층을 플로팅 게이트로 사용한 플래시 메모리 구조의 전기적인 안정성을 향상시키기 위하여 SiO2 절연층을 삽입한 새로운 구조를 제시함으로서 플로팅 게이트내에 전하의 보유시간을 연장할 수 있는 전기적으로 안정적으로 작동하는 플래시 메모리 소자 제작을 가능하게 함. 고분자 내에 나노 결정체를 형성하여 고가의 장비 없이도 간단한 공정과정과 고효율 특성을 갖는 장시간 전하를 보유할 수 있는 나노 플로팅 게이트의 형성이 가능하며, 이를 이용한 한 고효율 및 저비용 나노 플로팅 게이트를 가진 플래시 기억소자 제작가능하다