일반기술

ReRAM 소자 응용을 위한 이원 산화 물질 박막의 remote oxidation 방법을 이용한 layer-by-layer 다층 성장 방법

본 발명은, 차세대 비휘발성 메모리 소장 중의 하나인 Resistive Random Access Memory (ReRAM) 소자에 응용되는 메탈 전극 기판위에 이원 산화 물질 박막을 remote oxidation 방법을 이용하여 다층구조로 증착하는 방법에 관한 것으로서, 기판상에 금속 전극을 증착시키는 단계, 전극 층 상에 금속막을 증착시키는 단계, 상기 금속막을 Remote oxidation 방법을 이용하여 이원 산화 물질 층으로 형성하는 단계, 이원 산화 물질 층이 원하는 다층구조가 될 때까지 상기 금속막 증착, 산화 단계를 반복하는 단계, 기판 및 이원 산화 물질 층을 어닐링하는 단계, 상부전극을 증착 하는 단계 및 ReRAM 장치를 완성하는 단계를 포함한다.본 발명에 따르면, 진공상태에서 remote oxidation 방법을 이용하여 이원 산화 물질을 다층 성장하여 균일한 이원 산화 물질을 높은 재현성으로 형성할 수 있다. 또한, 이를 거대 저항변화 메모리와 같은 비휘발성 메모리 소자에 응용함으로써 종래의 perovskite 물질보다 우수한 고효율의 비휘발성 메모리 소자를 구현할 수 있을 것으로 기대할 수 있으며, 재현성도 우수하여 실제 양산화공정에 효과적으로 적용될 수 있다. 이러한 이원 산화 물질 다층 박막 형성방법은 비휘발성 메모리소자 제조방법으로 응용되어, 보다 큰 효과를 제공할 수 있다.