일반기술

900℃이하에서 소결 가능한 NiZnCu ferrite의 제조방법

본 발명은 저온 동시 소성이 가능한 NiZnCu 페라이트를 제조하는 방법에 관한 것으로 종래의 소결온도보다 온도를 낮추는 방법을 제시한다. 저온 동시 소성 연구는 현재까지 캐퍼시터 소자의 개발에 주력하고 있으나 통합적인 모듈의 구현을 위해서는 인덕터 소재의 개발이 절실한 실정이다. 내부전극을 Ag로 하는 적층형 인덕터 제조를 위해서는 전극의 융점보다 낮은 온도에서 소성해야한다. 따라서 인덕터 소재의 개발을 위해 소결 온도를 낮추는 것은 필수적이다. 이에 본 발명은 900℃이하로 소결온도를 저하시키면서도 우수한 자기적 특성을 갖는 인덕터 소재의 개발을 제안한다. 소결온도를 낮추기 위해 사용되는 기존의 소결 조제들과 달리 미량의 Ag를 첨가한 본 재료는 낮은 온도에서도 입자성장이 빠르게 일어나 치밀한 미세구조를 갖는다. 특히 0.1wt. %의 Ag를 첨가한 NiZnCu 페라이트의 경우 875℃에서 소결 하였을 때 4.05kG의 포화자화 값과 4Oe의 보자력, 10MHz에서 521의 초기투자율을 보였다. 또한 나노크기의 분말로 만든 후 유기물을 첨가하여 doctor blade법으로 만든 본 후막은 전자부품의 소형 경량화 요구를 만족시킬 수 있는 방법이 되겠다.본 발명에 따른 NiZnCu 페라이트의 제조방법은 다음과 같은 효과를 가진다. 첫째, 본 발명은 900℃이하의 온도에서 미량의 Ag를 첨가하여 소결이 가능하면서 치밀한 미세구조를 갖는다. 둘째, 본 발명은 900℃이하의 소결온도에서 제조된 NiZnCu 페라이트의 자성특성이 우수하다. 셋째, 본 발명은 상기 재료를 인덕터 소재에 응용 가능하다. 나노크기의 분말을 제조한 후 doctor blade법으로 페라이트 후막을 만든다. 적층 후 소결하는데 미량의 첨가물인 Ag가 소결 시 입자성장을 빠르게 하여 875℃에서 치밀하며 자성특성이 우수한 NiZnCu 페라이트를 제조할 수 있게 한다. 본 재료는 열적 안정성이 뛰어나며 비교적 높은 주파수 대역에서 응용이 가능하다. 본 발명을 응용하여 수동소자를 임베디드한 전자부품의 개발에 적용가능하다.